露光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215311
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055783
出願日： 1994年08月16日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】本発明は、露光装置(1)において、複数の投影光学系(5〜9)に対してマスク(2)及び感光基板(4)を同期させて走査して、マスク(2)上のパターン領域の全面を正しく感光基板(4)上に転写する。【構成】マスク(2)面上及び感光基板(4)面上の互いに対応する位置で、かつ複数の投影光学系(5〜9)のそれぞれに対して共役な少なくとも2つの位置に、複数組のマスク面側基準マーク(10)及び感光基板面側基準マーク(11)をそれぞれ配し、投影光学系(5〜9)を介して対応する感光基板側基準マーク(11)又はマスク面側基準マーク(10)上に結像した際の位置と、感光基板側基準マーク(11)又はマスク面側基準マーク(10)の位置とのずれ量を計測し、そのずれ量に応じて複数の投影光学系(5〜9)の結像特性を補正するようにした。

請求項（抜粋）：

光源からの光束をマスクのパターン領域内の複数の部分領域に照射する複数の照明光学系と、所定方向に沿い、かつ該所定方向の直交方向に互いに変位して配置され、前記マスクを透過した前記光束により前記複数の部分領域それぞれの像を、隣合う前記像の前記所定方向の位置を互いに重複させて感光基板上に投影する複数の投影光学系と、該投影光学系に対して、前記所定方向の略直交方向に、前記マスク及び前記感光基板を同期させて走査する走査手段とを有し、前記マスクと前記感光基板とを前記投影光学系に対して走査することにより、前記マスクの前記パターン領域の全面を前記感光基板上に転写する露光装置において、前記マスク面上及び前記感光基板面上の互いに対応する位置で、かつ前記複数の投影光学系のそれぞれに対して共役な少なくとも2つの位置に、それぞれ配された複数組のマスク面側基準マーク及び感光基板面側基準マークと、該マスク面側基準マーク又は該感光基板側基準マークを、前記投影光学系を介して、それぞれ対応する前記感光基板側基準マーク又は前記マスク面側基準マーク上に結像した際の位置と、前記感光基板側基準マーク又は前記マスク面側基準マークの位置とのずれ量を計測するずれ量計測手段と、該ずれ量計測手段で計測されたずれ量に応じて、前記複数の投影光学系の結像特性を補正するレンズ調整手段とを具えることを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 518 , H01L 21/30 521 , H01L 21/30 525 W , H01L 21/30 525 X

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