特許

J-GLOBAL ID：200903097637605800

Agめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金

発明者： 宮藤 元久 ,  野村 幸矢
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 香本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145734
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319528
出願日： 1995年05月20日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 Cu-Ni-Si系半導体リードフレーム用銅合金のAgめっきにおいて、Agめっき突起の発生を防止する。【構成】 Ni:0.4〜4.0wt%、Si:0.1〜1.0wt%、Zn:0.05〜2.0wt%、Mn:0.02〜1.0wt%、Mg:0.00001〜0.001wt%(但し、0.001wt%を含まず)、S:0.003wt%以下含有し、さらに、B:0.001〜0.01wt%、Cr0.001〜0.01wt%、Ti:0.001〜0.01wt%、Zr:0.001〜0.01wt%の中から選んだ1種又は2種以上を合計で0.001〜0.01wt%含有し、残部銅及び不可避不純物からなることを特徴とするAgめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金。Mg含有量を0.001wt%未満に制限することでAgめっき突起の発生を防止する。

請求項（抜粋）：

Ni:0.4〜4.0wt%、Si:0.1〜1.0wt%、Zn:0.05〜2.0wt%、Mn:0.02〜1.0wt%、Mg:0.00001〜0.001wt%(但し、0.001wt%を含まず)、S:0.003wt%以下含有し、さらに、B:0.001〜0.01wt%、Cr0.001〜0.01wt%、Ti:0.001〜0.01wt%、Zr:0.001〜0.01wt%の中から選んだ1種又は2種以上を合計で0.001〜0.01wt%含有し、残部銅及び不可避不純物からなることを特徴とするAgめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金。

IPC (2件)：

C22C 9/06 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

C22C 9/06 ,  H01L 23/50 V