不揮発性メモリセルに負プログラミング電圧を供給する方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286349
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254293
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】集積化して実施するのに好適な、不揮発性メモリセルに負プログラミング電圧を供給する方法を提供することにある。【構成】不揮発性メモリ装置内の不揮発性メモリセルに負プログラミング電圧を供給するために、キャパシタ(C)の第1極板(A)を第1スイッチング手段(TX,TY)を経て正高電圧源(Vpp)に接続するとともに、少なくとも一つのメモリセルのコントロールゲートに動作的に接続されるこのキャパシタ(C)の第2極板(B)を第2スイッチング手段(TB)を経て基準電圧源(GND)に接続することによりこのキャパシタを正の高電圧に充電し、次いでこのキャパシタの第1極板を第1スイッチング手段を経て基準電圧源に接続するとともに、このキャパシタの第2極板を基準電圧源から切り離して第2極板に負電圧を得る。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ装置内の、フローティングゲート及びコントロールゲートを有する不揮発性メモリセルに、負プログラミング電圧を供給するに当たり、キャパシタ(C,C1-Cn)の第1極板(A,A1-An)を正高電圧源(Vpp)に接続するとともに、少なくとも一つのメモリセルのコントロールゲートにも動作的に接続されるこのキャパシタ(C,C1-Cn)の第2極板(B,B1-Bn)を基準電圧源(GND)に接続してこのキャパシタ(C,C1-Cn)を正の高電圧に充電し、次いでこのキャパシタ(C,C1-Cn)の第1極板(A,A1-An)を基準電圧源(GND)に接続するとともにこのキャパシタ(C,C1-Cn)の第2極板(B,B1-Bn)を基準電圧源(GND)から切り離して前記第2極板(B,B1-Bn)に負電圧を得ることを特徴とする不揮発性メモリセルに負プログラミング電圧を供給する方法。

IPC (5件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 D , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-157667
特開平3-219496
特開昭62-119796

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