特許
J-GLOBAL ID：200903097646111381
半導体装置実装用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 幹夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-111649
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206207
出願日： 1991年05月16日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 温度変化によりバンプに加わる応力を低減させて、信頼性を向上させる。【構成】 バンプ4bを介して実装される半導体装置4の実装と、半田リフロー方式によるチップ部品5の実装とを混在して行なう半導体装置実装用基板1において、該半導体装置実装用基板1の半導体装置実装部の板厚を、他の部分よりも薄く形成した。【効果】 半導体装置実装部での半導体装置実装用基板1の厚みが薄いため、その剛性が低く、半導体装置4の剛性が一定とすると、半導体装置実装部ではその伸びは半導体装置4の伸びが支配的となり、バンプ4bに加わる応力が低下し、半導体装置4の実装の信頼性が向上する。また、半導体装置実装用基板1の全体としての剛性はほとんど低下せず、半田リフロー時の加熱においても、反りやねじれ等に起因した半田リフロー工程不良を招くことが少ない。
請求項（抜粋）：
バンプを介して半導体装置が実装される半導体装置実装用基板において、該半導体装置実装用基板の半導体装置実装部の板厚を、他の部分よりも薄く形成したことを特徴とする半導体装置実装用基板。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
