エッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082772
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275572
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 GaAsを主成分とする化合物半導体結晶のエッチング方法を対象とする。従来、エッチングマスク材料として用いられたレジスト・Si窒化膜・酸化膜等は除去工程によっても極薄有機物層やダメージ層が残っていた。GaAs酸化物を主体とする極薄層でエッチングマスクを形成し、使用後に完全性が高く清浄な結晶表面を得る。【構成】オゾン暴露等によってGaAs表面に100A程度のGaAs酸化物層を形成してマスク材として用い、ブロムメタノール等の溶液や、ブロム等を用いたガスエッチングによって溝形成等の加工を行い、使用後に例えば超高真空中でAsH3 雰囲気のもと適切な温度・時間昇温して上記マスク材を除去し、清浄で完全性が高い結晶表面を得る。極薄エッチングマスクによってエッチングを行うことで加工精度が向上し、GaAs酸化膜を用いることで除去後に完全性が高い清浄表面が得られる。

請求項（抜粋）：

少なくともGaとAsを主成分として含む化合物半導体結晶上の少なくともGaとAsを含む酸化物層をエッチングマスクとして用いるエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-029314
特開平3-188629
特開平4-017685

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