半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055545
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258245
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】ハードマスクを用いて形成したゲート電極の利点を生かしつつ、ハードマスク除去に伴う半導体装置の特性の変化を抑える。【解決手段】ゲート電極3は、ハードマスクをマスクとして用いたエッチングにより形成され、その後の工程においてはゲート電極3の上面にはハードマスクが残存する。よって、その間にゲート電極3の上面が不要にエッチングされるのを防止できる。そのハードマスクは、ソースドレイン領域形成のためのイオン注入後に除去する。そのため、ハードマスクの除去による半導体装置の特性への影響は抑えられる。またその際、サイドウォール4の表面も厚さdだけエッチングされ、ソースドレイン領域上面の露出幅が広くなる。ハードマスク除去後は、ゲート電極3のサリサイド化や、ゲート電極3に対するコンタクトの形成を容易に行うことができる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に形成されたゲート電極材を、ハードマスクをマスクとしてエッチングすることにより、前記ハードマスクを上面に有するゲート電極を少なくとも1つ以上形成する工程と、(b)前記ハードマスクを上面に有する前記ゲート電極をマスクとして、第1のイオン注入を行う工程と、(c)前記工程(b)よりも後に行われ、所定の前記ゲート電極の前記ハードマスクをエッチングにより除去する工程とを備える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 604 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8234 , H01L 21/8247 , H01L 27/088 , H01L 27/10 481 , H01L 27/115 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (9件)：

H01L 21/265 604 G , H01L 21/28 301 D , H01L 27/10 481 , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C , H01L 29/58 G , H01L 27/08 102 D , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (72件)：

4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048DA18 , 5F048DA19 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP77 , 5F083ER22 , 5F083JA04 , 5F083MA01 , 5F083MA15 , 5F083PR07 , 5F083PR28 , 5F083PR43 , 5F083PR53 , 5F083ZA05 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD33 , 5F101BD37 , 5F101BE07 , 5F101BH13 , 5F101BH21 , 5F140AB03 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF28 , 5F140BF34 , 5F140BF58 , 5F140BF60 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB04

前のページに戻る