特許

J-GLOBAL ID：200903097657347140

プラズマ処理装置

発明者： 坂本 高雄 ,  田原 一弘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301270
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130719
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ組成比を制御可能な処理装置を提供する。【構成】 本発明のプラズマ処理装置1によれば、少なくとも2つの高周波電源21、22により発生された少なくとも2つの周波数が混合器23により合成された合成高周波電力が上部電極18また下部電極7のいずれか一方に印加されるので、合成される周波数の比率を調整することにより、処理室2内に発生する反応ガスプラズマ中の反応性イオンの組成比を変えることができる。また一旦合成した高周波電圧を位相制御器30により一定の位相差、たとえば180 ゚差の高周波電圧に分周し、各高周波電圧を上部および下部電極に印加することにより、両電極間に磁界を集中させ、均一で安定したプラズマを発生させることができる。

請求項（抜粋）：

処理室内に配置され被処理体が載置される下部電極と、前記処理室内において前記下部電極に対向する位置に配置される上部電極とを備えたプラズマ処理装置において、前記上部電極または前記下部電極のいずれか一方に対して、少なくとも2つの高周波電源より発生される少なくとも2つの異なる周波数の高周波電圧を合成するための合成手段とその合成手段により合成された合成高周波電圧を増幅するための増幅手段とを介して高周波電圧を印加することが可能であり、前記上部電極または前記下部電極のいずれか他方は接地されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205