特許
J-GLOBAL ID：200903097657961395
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329760
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226373
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 実質的にアモルファス状態のシリコン膜を通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度でのアニールによって結晶化させ、薄膜トランジスタ等の半導体素子を作製する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜の上もしく下に選択的に島状、線状、ストライプ状、ドット状、膜状のニッケル、鉄、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、銅、亜鉛、金、銀もしくはそれらの珪化物等を有する被膜、粒子、クラスター等を形成し、通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、結晶シリコン膜を得る。さらに、この結晶シリコン膜を用いて薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に選択的にニッケル、鉄、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、銅、亜鉛、金、銀の少なくとも1つを含有する物体を形成する第1の工程と、前記工程後、実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する第2の工程と、第2の工程の後に酸素、窒素または水素の気体またはその混合ガスの雰囲気、または前記気体を 時間的にその種類を変更して基板をアニールする第3の工程と、前記シリコン膜を島状にパターニングする第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/786
