特許
J-GLOBAL ID：200903097666357131
キャパシタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316264
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169917
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】高誘電率の酸化タンタル膜を用い、大容量で高耐圧のキャパシタを形成する。【構成】シリコン基板1上に形成された第一の絶縁膜上に延在する第一の電極上に酸化タンタル層5を形成した後、第一の熱処理を酸素もしくは二窒化酸素雰囲気、あるいはアルゴンや窒素等で希釈した酸素もしくは二窒化酸素濃度0.1%以上の雰囲気中600°C以上750°C以下の温度で行い、続いて第一の熱処理より高温かつアルゴンもしくは窒素等不活性雰囲気中もしくはアルゴン,窒素等で0.1% 以下に希釈された酸素あるいは二窒化酸素雰囲気で第二の熱処理を行って酸化タンタル層5を結晶化した後、酸化タンタル層5上に第二の電極6を形成しキャパシタとする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成された第一の絶縁膜上に延在する第一の電極上に酸化タンタル層を形成した後、第一の熱処理を酸素もしくは二窒化酸素雰囲気、あるいはアルゴンや窒素等で希釈された、酸素もしくは二窒化酸素濃度0.1% 以上の雰囲気中600°C以上750°C以下の温度で行い、前記第一の熱処理より高温かつアルゴンもしくは窒素等不活性雰囲気中もしくはアルゴン,窒素等で0.1 %以下に希釈された酸素雰囲気で第二の熱処理を行って前記酸化タンタル層を結晶化した後、前記酸化タンタル層上に第二の電極を形成することを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/26
, H01L 21/316
, H01L 21/324
H01L 27/04 C
, H01L 21/26 L
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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