特許

J-GLOBAL ID：200903097669175174

薄膜磁気ヘツドの製造方法

発明者： 戸川 衛星 ,  近藤 祥 ,  鈴木 三郎 ,  鍬塚 俊一郎 ,  森尻 誠 ,  府山 盛明 ,  芦田 栄次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206859
公開番号（公開出願番号）：特開平5-046936
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 電磁気的な特性の安定かつ均一な高性能の薄膜磁気ヘッドを、工程を煩雑化することなく高歩留りで製造することが可能な、薄膜磁気ヘッドの製造技術を提供する。【構成】 磁気ギャップ領域Aに露出するギャップ材4を、第1層メッキ下地膜6、第1層導体コイル8、第2層メッキ下地膜10、第2層導体コイル12などと同時に形成される導電体保護膜6a、導電体保護膜8a、導電体保護膜10a、導電体保護膜12aによって保護することにより、製造プロセス中のエッチングなどによるギャップ材4の膜厚減少を防止する。

請求項（抜粋）：

基板上に、下地膜と、下部磁性体と、ギャップ材と、絶縁層に挟まれた少なくとも1層の導電体と、上部磁性体と、保護膜とを順次積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記導電体を形成する時、前記下部磁性体と前記上部磁性体との間に介在して磁気ギャップを構成する前記ギャップ材の当該磁気ギャップ領域上に、前記導電体からなる導電体保護膜を形成し、前記上部磁性体の形成に先立って前記導電体保護膜を除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。