特許

J-GLOBAL ID：200903097672045699

酸化物誘電体薄膜およびその製造方法

発明者： 田中 素之 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084411
公開番号（公開出願番号）：特開平7-294862
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 配向性に優れ、結晶性の良好な酸化物誘電体薄膜およびその製造方法の提供。【構成】 金属アルコキシドもしくは有機酸またはそれらの組合せを原料として酸化物誘電体薄膜を形成する前に、基板表面に水酸化処理を施すことを特徴とする酸化物誘電体薄膜およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

金属アルコキシドもしくは有機酸またはそれらの組合せを原料として酸化物誘電体薄膜を形成する前に、基板表面に水酸化処理を施すことを特徴とする酸化物誘電体薄膜の製造方法。