特許

J-GLOBAL ID：200903097672754940

半導体基板の表面処理方法

発明者： 深澤 雄二 ,  桑田 淳夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078378
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 同一の薬液と保護液の循環使用を可能にして各液の使用量を少なくした半導体基板の表面処理方法を提供する。【構成】 半導体基板23の下面に水溶性のエッチング薬液Xを吹き付けるよう供給して処理すると同時に、非水溶性の保護液Yを上面に吹き付けるよう供給するようにしているので、半導体基板23の下面のエッチング処理に際してはエッチング薬液Xが下面にのみ供給され、保護液Yが供給されている上面にエッチング薬液Xが回り込むのが確実に阻止される。またエッチング薬液Xと保護液Yとは半導体基板23に供給し、エッチング処理が行われた後に混合液Zとして回収しても、それぞれが水溶性及び非水溶性の液体であるために分離フィルタ42によって簡単に分離することができ、この分離によって同一の液を循環使用することが可能となり、各液の使用量が少なく抑えられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面を水溶性の薬液によって処理するに際し、該薬液を前記半導体基板の一主面に吹き付けるよう供給すると共に、非水溶性の保護液を前記半導体基板の他主面に吹き付けるよう供給することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  C23F 1/08 103 ,  H01L 21/306