金属ルテニウムフィルムの調製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-567759
公開番号（公開出願番号）：特表2002-523907
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2002年07月30日
要約：

【要約】本発明は、(ジエン)Ru(CO)3の式の液体ルテニウム錯体から金属ルテニウムフィルムを調製する方法を提供する。ここで「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした若しくは環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N又はOのようなヘテロ原子又はそれらの組み合わせを更に有するそれらの誘導体に言及している。好ましい例は、シクロヘキサジエン又はシクロヘプタジエンルテニウムトリカルボニルである。

請求項（抜粋）：

半導体基材又は基材アセンブリを提供すること; 以下の式(式I)の1又は複数種の化合物を含む液体先駆物質組成物を提供すること: (ジエン)Ru(CO)3ここで「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした若しくは環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N又はOのようなヘテロ原子又はそれらの組み合わせを更に有するそれらの誘導体に言及している; 前記液体先駆物質組成物を気化させて、気化した先駆物質組成物を作ること;並びに前記気化した先駆物質組成物を、前記半導体基材又は基材アセンブリに送って、この半導体基材又は基材アセンブリの表面に金属ルテニウムフィルムを作ること;を含む、半導体構造体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/18 , H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z , C23C 16/18 , H01L 27/10 444 C

Fターム (14件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4M104BB04 , 4M104DD45 , 5F083FR01 , 5F083GA25 , 5F083JA38 , 5F083PR21

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