特許

J-GLOBAL ID：200903097675627052

AlN焼結体およびその製造方法

発明者： 塩井 恒介 ,  森口 敏和
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-219844
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【目的】 高熱伝導率を維持し、耐熱疲労特性の優れたAlN焼結体を提供する。【構成】 AlN焼結体の粒界相の組織を特定のものに制御するとともに、その組成をYAG相およびYAP相にしたAlN焼結体。

請求項（抜粋）：

粒界相を含有するAlN焼結体において、該焼結体切断面における粒界相の(a)平均周長が0.1〜15μmで、(b)平均最小径と平均最大径の比率が0.5〜1.0で、(c)平均粒径とAlN粒の平均粒径の比率が0.5以下であり、かつ該粒界相組成が3Y2O3・5Al2O3およびY2O3・Al2O3からなることを特徴とするAlN焼結体。