特許
J-GLOBAL ID：200903097675944635

洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置

発明者：
稲垣 靖史

稲垣 靖史 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104269
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306653
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハの面内や表裏間、および複数のウェハ間における汚染の拡散を防止しながら、必要な洗浄を確実に行う。【構成】 ウェハの汚染状態を測定する測定部2と、測定データを解析評価して最適な洗浄条件を決定する解析評価部3と、該洗浄条件にしたがって実際の洗浄を行う洗浄部4を有する洗浄装置1を使用する。前段階の加工/処理を終了したウェハは、まず測定部2に搬入されて表面測定を受け、解析評価部3により洗浄が必要と判断されたウェハのみが洗浄部4で洗浄される。洗浄部4では、ノズルからウェハ上へ洗浄薬液を局所的に供給し、洗浄終了後はその液滴を同じまたは別のノズルで吸引除去する。【効果】 前段階の加工/処理後に一律にウェハを洗浄ラインへ送っていた従来プロセスに比べ、経済性,生産性,歩留まり,作業安全性が大幅に改善される。
請求項（抜粋）：
所定の前段階プロセスを終了した基板の汚染状態を測定する第1工程と、前記基板の汚染状態を解析評価し、その結果にもとづいて最適な洗浄条件を決定する第2工程と、前記洗浄条件にしたがって前記基板上の汚染発生領域のみを選択的に洗浄する第3工程とを有する洗浄方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/00 ,  B08B 11/02
FI (5件)：
H01L 21/304 341 S ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M ,  B08B 3/00 ,  B08B 11/02
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-229428
  • 多成分系薬液処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-233717   出願人：島田理化工業株式会社
  • 特開昭62-122132

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