特許

J-GLOBAL ID：200903097678379297

半導体装置の構造及び製造方法

発明者： 長谷川正智
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214959
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049256
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 高周波特性がよく、かつ、歩留まりのよい半導体装置の実用化する。【解決手段】 半導体基板の側面に溝を形成し、そこに、コプレーナ線路あるいはスロット線路を形成する。前者により、半導体装置の取り扱い上および誘電体基板はの実装上での歩留まりの低下を回避できる。また、後者により高周波特性の改善が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体回路基板上に形成された回路が少なくとも一つ以上の接続電極を介して上記半導体基板の外部に接続されてなる半導体装置において、上記接続電極が半導体回路基板の側面に形成されていて、かつ、高周波用の伝送線路を形成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 301 ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/08 ,  H01P 11/00

FI (4件)：

H01L 23/12 301 L ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/08 L ,  H01P 11/00 F

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-288252
  
• 高周波パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-084802   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭61-168939
  
• 特開昭61-225842
  

審査官引用 (4件)

• 特開平2-288252
  
• 高周波パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-084802   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭61-168939
  
• 特開昭61-225842