特許
J-GLOBAL ID:200903097680519144

電力変換装置用半導体駆動回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-380123
公開番号(公開出願番号):特開2003-189591
出願日: 2001年12月13日
公開日(公表日): 2003年07月04日
要約:
【要約】【課題】 電力変換用半導体駆動回路において、IGBTのターンオフ時に、ゲート電圧を0ボルトまで落し、IGBTの誤動作を低減する。【解決手段】 トランジスタ101,102の接続点とIGBT104のゲートの間に接続されたゲート抵抗201と並列にダイオード301とインダクタの直列回路が付加されている。
請求項(抜粋):
電力変換に用いられる半導体スイッチ素子を駆動する駆動回路において、前記半導体スイッチ素子と前記駆動回路を構成する2つの半導体スイッチ素子の接続点の間に接続された抵抗と並列に整流素子とインダクタが直列に接続されていることを特徴とする電力変換装置用半導体駆動回路。
Fターム (4件):
5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740HH05 ,  5H740KK01

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