特許

J-GLOBAL ID：200903097681548261

基板バイアス発生装置

発明者： 辻 高晴 ,  中山 明男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268956
公開番号（公開出願番号）：特開平6-121525
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 必要とされる負電圧発生能力に応じて外部からの切替え信号によりリングオッシレータ10Aの発振周期を変化させる基板バイアス発生装置を得る。【構成】 リングオッシレータを構成する各NチャネルMOSトランジスタ1a,1b,1nのアース側に並列接続NチャネルMOSトランジスタ4a-5a,4b-5b,4n-5nを接続すると共に、各PチャネルMOSトランジスタ2a,2b,2nの電源側に並列接続PチャネルMOSトランジスタ6a-7a,6b-7b,6n-7nを接続した。

請求項（抜粋）：

外部からの切替え信号によって発振周期が変化させられるリングオッシレータと、このリングオッシレータの出力に基づいて負電位を発生し且つ基板に供給するチャージポンプ回路とを備えたことを特徴とする基板バイアス発生装置。