特許

J-GLOBAL ID：200903097682286287

内燃機関点火用回路装置および内燃機関点火用半導体装置

発明者： 古畑 昌一 ,  竹内 茂行 ,  藤平 龍彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336516
公開番号（公開出願番号）：特開平9-280147
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】イグナイタ点火回路は、コイル電流を一定値に制限する機能を有するが、点火用半導体装置としてIGBTを用いた場合、コレクタ電圧が振動しやすいという課題があり、コレクタ電圧の振動を抑制する。【解決手段】電流制限時にコレクタ電圧がゲート電圧よりも高い場合、コレクタ端子からゲート端子に微小電流による電圧が加わるような回路を備えたことにより、電流制限動作開始直後のコレクタ電圧の上昇がゲート端子電圧を高める方向に作用し、そのゲート電圧の上昇は急激なコレクタ電圧の上昇を抑制する。また振動によるコレクタ電圧の低下では、コレクタ端子からゲート電圧を高める作用が低下しコレクタ電圧の低下が抑制される。

請求項（抜粋）：

イグニッションコイルの一次巻線に直流電源とスイッチング手段を接続し、イグニッションコイルの二次巻線の一方端に点火プラグを接続し、該スイッチング手段の開閉によるイグニッションコイルの一次電流の変化により二次巻線に生ずる高電圧を点火プラグに供給するものにおいて、スイッチング手段がMOSゲート構造トランジスタであり、一次巻線のコイル電流をある一定値に制限するために、少なくともコイル電流検出部とMOSゲート構造トランジスタのゲート電圧を降下させる回路とを備え、MOSゲート構造トランジスタの電圧値の高い側の主端子電圧が、ゲート端子電圧よりも高い場合に、主端子からゲート端子に流入する電流で生じた電圧をゲート端子に加える電流供給回路を備えたことを特徴とする内燃機関点火用回路装置。

IPC (2件)：

F02P 3/04 301 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

F02P 3/04 301 B ,  H01L 29/78 656 C ,  H01L 29/78 657 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 内燃機関点火装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327324   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-136563
  
• 特開昭59-176929