薄膜トランジスタ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-285513
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092410
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】要求されるキャリヤ移動度及びオン/オフ比の双方を共に満足し、且つ簡便な方法で廉価に得られた材料によってチャネル形成領域が形成された薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本薄膜トランジスタ10は、ソース領域14と、ドレイン領域15と、ソース及びドレイン領域14、15の双方に対応するチャネル形成領域と、該チャネル形成領域に対応するゲート電極12とを備えている。この薄膜トランジスタ10では、チャネル形成領域16が、ラジカルを有する有機化合物によって構成されている。

請求項（抜粋）：

ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース及びドレイン領域の双方に対応するチャネル形成領域と、該チャネル形成領域に対応するゲート電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル形成領域が、ラジカルを有する有機化合物によって構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 51/00

FI (5件)：

G02F 1/1368 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 , H01L 29/80 B , H01L 29/78 618 G

Fターム (33件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092MA04 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 5F102GB01 , 5F102GC02 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL10 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭62-031175

審査官引用 (1件)

特開昭62-031175

引用文献：

出願人引用 (1件)

Organic Thin-Film Transistors Using π-Conjugated Oligomers: Influence of the Chain Length

審査官引用 (1件)

Organic Thin-Film Transistors Using π-Conjugated Oligomers: Influence of the Chain Length

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