特許
J-GLOBAL ID：200903097685361794
選択エピタキシヤル成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168538
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021356
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 低温で高純度の半導体薄膜を選択エピタキシャル成長させる方法を提供する。【構成】 図1の超高真空チャンバ11をもつ結晶成長装置を用いてIII族原料として固体金属、V族原料としてホスフィン、アルシン或は固体砒素を用い、かつ成長時に原子状水素を基板表面に照射することにより、この原子状水素と基板上のIII族金属元素が反応して金属水素化物が生成し、通常の成長温度でも基板表面から再脱離することが出来るようになる(この時V族元素もV族水素化物の形で再脱離する)。この再脱離の速度が、絶縁物マスクで一部を覆われた半導体基板への成長を行うと絶縁物マスク上では半導体基板上よりも大きいため絶縁物マスク上への多結晶の堆積が抑制され半導体表面のみへの選択成長が実現される。
請求項（抜粋）：
超高真空中で、絶縁物をマスクとしてIII-V族化合物半導体をマスク以外の部分に選択的にエピタキシャル成長させる方法において、III族原料として固体金属、V族原料としてホスフィン、アルシン或は固体砒素を用い、かつ成長時に原子状水素を基板表面に照射することを特徴とする選択エピタキシャル成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 23/04
, C30B 25/04
, C30B 29/40
, H01L 21/203
