指紋認識用半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356506
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】指の接触により指紋センサの表面にクラックが発生するのを防止することができる指紋認識用半導体装置、および、上記の指紋センサを低コストで製造することが可能である指紋認識用半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に形成された、電荷の蓄積を行う複数の配線3と、配線3の下部に形成され、配線3のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数の半導体素子と、配線3上および配線間に形成され、押圧力が印加されるパッシベーション膜5とを有する指紋認識用半導体装置であって、隣接する配線上のパッシベーション膜5の表面は、印加される押圧力を緩和するように、少なくとも一部が接触している指紋認識用半導体装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、電荷の蓄積を行う複数の配線と、前記配線の下部に形成され、前記配線のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数の半導体素子と、前記配線上および配線間に形成され、押圧力が印加されるパッシベーション膜とを有する指紋認識用半導体装置であって、隣接する前記配線上の前記パッシベーション膜の表面は、印加される前記押圧力を緩和するように、少なくとも一部が接触している指紋認識用半導体装置。

IPC (7件)：

G01B 7/28 , G01B 7/34 102 , G06T 7/00 , G06T 1/00 , H01L 21/318 , H01L 21/3205 , H01L 29/84

FI (7件)：

G01B 7/28 H , G01B 7/34 102 A , H01L 21/318 B , H01L 29/84 Z , G06F 15/62 460 , G06F 15/64 G , H01L 21/88 K

Fターム (40件)：

2F063AA43 , 2F063BA29 , 2F063DA02 , 2F063DA05 , 2F063DD07 , 2F063HA04 , 4M112AA01 , 4M112BA02 , 4M112BA07 , 4M112CA46 , 4M112CA51 , 4M112CA54 , 4M112DA06 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112FA08 , 5B043AA09 , 5B043BA02 , 5B043DA07 , 5B047AA25 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033VV00 , 5F033XX17 , 5F058BA04 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BJ01 , 5F058BJ03

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