特許

J-GLOBAL ID：200903097689144682

薄膜形成装置

発明者： 芹川 正
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193133
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036959
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 レーザアブレーション法による薄膜形成装置において従来問題であった薄膜形成時に製品不良の原因となる付着物やターゲットの損傷をきわめて簡単な方法により解消する。【解決手段】 真空槽1内に設けたターゲット保持台6上に、薄膜の源をなるターゲット5を保持させる。また、このターゲットを構成する原子、分子あるいはこれらのイオンを放出するためにターゲット表面にレーザを照射するレーザ装置7を設ける。さらに、真空槽1内でターゲットに対面する位置に、薄膜を形成する基板3を、基板支持台4に支持させることにより配置する。そして、前記ターゲット保持台に、ターゲットを所望の温度に加熱するためのターゲット加熱装置10を付設する。

請求項（抜粋）：

薄膜の源となるターゲットを保持するターゲット保持台と、前記ターゲットの表面にレーザを照射することにより前記ターゲットを構成する原子、分子あるいはこれらのイオンを放出するためのレーザ装置と、薄膜を形成する基板を支持する基板支持台とを有する薄膜形成装置において、前記ターゲット保持台に、前記ターゲットを所望の温度に加熱するためのターゲット加熱装置を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 14/28 ,  H01L 49/00 ,  C30B 23/08

FI (3件)：

C23C 14/28 ,  H01L 49/00 ,  C30B 23/08 Z