特許
J-GLOBAL ID：200903097690400943
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153111
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022435
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板にクラックを発生させず、かつ、放熱性の低下が最小限度に抑えられた,その裏面側からバイアホールが形成された半導体基板を導電性基体上にダイボンディングしてなる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 厚みが150μmのGaAs基板1の裏面と、該GaAs基板1に形成された半球形状のバイアホール6の内周面を被覆するように、Auメッキ層からなる背面電極7を形成し、この背面電極7の,上記バイアホール6の底部からGaAs基板1の厚み方向へ向かう所定距離(d)迄の間の内周面を被覆している部分上にのみ、選択的にNi電解メッキ層12を形成し、この状態で、背面電極7を介して、上記GaAs基板1とダイパッド100aとをAuSnハンダ8によりハンダ付けする。
請求項（抜粋）：
導電性基体上に半導体チップをダイボンディングしてなる半導体装置において、上記半導体チップは、半導体基板と、上記半導体基板上に形成された第1の電極と、上記半導体基板の裏面側から、その底部が上記第1の電極の裏面に達するように形成されたバイアホールと、上記半導体基板の裏面及びバイアホールの内周面を被覆し、その一部が上記第1の電極に接触するように形成された第2の電極とを有し、該第2の電極と導電性基体とが、上記バイアホール内に、その線膨張係数と上記半導体基板の線膨張係数の差によって生じる熱応力が、上記半導体基板の破断応力を越えない範囲で最大になるような状態にハンダが浸入するよう、上記バイアホール内に空間部を残して、ハンダ付けされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/41
, H01L 29/812
