特許

J-GLOBAL ID：200903097693980762

半導体装置の製造方法

発明者： 吉良 秀彦 ,  藤井 昌直 ,  石川 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-088762
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297227
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明はフリップチップ接合される半導体装置の製造方法に関し、製造設備コスト及び製造コストの低減を図り、完全なフリップチップ接合を行うことを目的とする。【構成】 絶縁性接着剤38が塗布された基板37を半硬化温度でプリキュアし、この基板37の搭載パッド37aに半導体チップ31のスタッドバンプ34をアライメントし第1の加圧力で押圧して仮固定を行う。そして、加圧・加熱ヘッド42aにより、絶縁性接着剤38を硬化させる温度で加熱しつつ第1の加圧力より高い第2の加圧力で押圧してフリップチップ接合を行う構成とする。

請求項（抜粋）：

所定数の半導体チップ(31)上にそれぞれ所定数の突起状電極(34)が形成されると共に、一方で基板(37)上における前記半導体チップ(31)の搭載部(37a)の領域に熱硬化性の絶縁性接着部材(38)を塗布する工程と、前記基板(37)上の前記絶縁性接着部材(38)を半硬化温度で加熱する工程と、前記基板(37)の搭載部(37a)に前記半導体チップ(31)をアライメントして第1の加圧力で第1の固定を行う工程と、前記半導体チップ(31)が固定された前記基板(37)を、前記絶縁性接着部材(38)の熱硬化温度で加熱すると共に、前記半導体チップ(31)を第2の加圧力により第2の固定を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-062946