特許
J-GLOBAL ID：200903097696085870
マスクの修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054481
公開番号（公開出願番号）：特開平10-254125
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 集束イオンビームを用いた黒欠陥修正において、修正したパターンの転写イメージでの寸法変動を低減すること。【解決手段】 修正工程では、黒欠陥と隣接するクロムパターンの一部を修正領域とし、これを集束イオンビームで除去する。更に、修正領域の内側の領域にGaイオン注入領域を設定し、透過率調整工程で、集束イオンビームをGaイオン注入領域に照射する。これにより、透過率の低いGaイオン注入領域が作成され、転写イメージでの寸法が所望の値となる。
請求項（抜粋）：
半導体装置のパターン形成に使用するマスクに発生する黒欠陥を集束イオンビームにより除去して修正するマスクの修正方法において、修正工程と転写イメージ観察工程と透過率調整工程とを有し、前記黒欠陥と該黒欠陥に隣接するクロムパターンの一部を含む領域に修正領域を配置し、前記修正領域の内側の領域にGaイオン注入領域を配置し、前記修正工程では、集束イオンビームを前記修正領域に照射して黒欠陥と該修正領域内のクロムパターンの除去を行い、前記転写イメージ観察工程では、転写イメージ像の観察を行い、前記修正領域に隣接するクロムパターンの転写イメージでの線幅寸法を得て、前記透過率調整工程では、集束イオンビームの照射をGaイオン注入領域に行うことを特徴とするマスクの修正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 V
, H01L 21/30 502 W
