GaN系半導体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293464
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121799
出願日： 1997年10月10日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 GaN系の半導体素子の発光又は受光効率の向上、長寿命化、歩留り向上を図る。【解決手段】シリコン基板の上にGaN系の第1の半導体層を形成し、該第1の半導体層の結晶構造にクラックを発生させ、クラックの発生された第1の半導体層の上に第2の半導体層を形成し、その後、活性層を形成する。

請求項（抜粋）：

GaN系半導体からなる素子構造と、前記GaN系半導体より小さい熱膨張係数を有する基板とを備えてなる半導体素子であって、前記基板の上に、その結晶構造にクラックのある第1の半導体層、その結晶構造に実質的なクラックを持たない第2の半導体層及び活性層が順に積層されていることを特徴とするGaN系半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 C , C30B 29/38 D , H01L 21/20 , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (9件)

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審査官引用 (9件)

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