特許
J-GLOBAL ID：200903097697983260
半導体量子ドットを用いた波長変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275692
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体量子ドットを用いた波長変換素子に関し、SN比の低下を防止するとともに、変換効率を高める。【解決手段】 半導体量子井戸層4と、所謂タイプIIの半導体量子ドット2とをバリア層3を介して積層させ、半導体量子ドット2に電子または正孔の内の一方を電気的に注入するとともに、半導体量子井戸層4に電子または正孔の内の他方を電気的に注入し、入射赤外線7によって半導体量子ドット2に注入したキャリアを励起し、励起されたキャリアを半導体量子井戸層4へ移動させて再結合させることによって、入射赤外線7よりエネルギーの高い変換光8を放出させる。
請求項（抜粋）：
半導体量子井戸層と、伝導帯側の基底準位が前記半導体量子井戸層の伝導帯側の基底準位よりエネルギー的に高く、且つ、価電子帯側の基底準位が前記半導体量子井戸層の価電子帯側の基底準位よりエネルギー的に低い半導体量子ドットとをバリア層を介して積層させ、前記半導体量子ドットに電子または正孔の内の一方を電気的に注入するとともに、前記半導体量子井戸層に電子または正孔の内の他方を電気的に注入し、入射赤外線によって前記半導体量子ドットに注入したキャリアを励起し、励起されたキャリアを前記半導体量子井戸層へ移動させて再結合させることによって、前記入射赤外線よりエネルギーの高い変換光を放出することを特徴とする半導体量子ドットを用いた波長変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2K002AB12
, 2K002CA13
, 2K002CA22
, 2K002FA05
