特許

J-GLOBAL ID：200903097699215499

半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法

発明者： 相原 良平 ,  遠藤 一明 ,  次田 克幸
出願人/特許権者： セイミケミカル株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116556
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012561
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハー研磨後の絶縁膜表面の傷を少なくし、残存するNa等の量を減少させ、長期保存しても微生物の増殖がない半導体用研磨剤を提供する。【解決手段】 重量平均粒径が0.1〜0.35μmで、結晶子径が150〜600Åである酸化セリウム粒子を含む半導体用研磨剤。酸化セリウム粒子は高純度炭酸セリウムを湿式粉砕し、乾燥し、焼成して製造し、Naの含有量は10ppm以下である。

請求項（抜粋）：

重量平均粒径が0.1〜0.35μmであり、結晶子径が150〜600Åである酸化セリウム粒子を含むことを特徴とする半導体用研磨剤。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B