特許
J-GLOBAL ID：200903097699501505
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-221202
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065101
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】必要とする電気容量を確保しつつキャパシタの占有面積を減少させ、装置のサイズを縮小可能にした半導体装置を提供する。【解決手段】層間絶縁膜21内に互いに近接した電極部32、34、36を立体的に成形および配置し、少なくともこの電極部の間に容量を形成してなる容量素子とする。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜内に互いに近接した電極部を設け、少なくともこの電極部の間に容量を形成してなる容量素子を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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