特許

J-GLOBAL ID：200903097700229750

半導体集積回路の製造方法

発明者： 赤嶺 忠男 ,  原田 博文 ,  佐藤 恵二 ,  井上 昌宏 ,  山中 順子 ,  斉藤 豊
出願人/特許権者： 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055381
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 多結晶シリコンのシート抵抗のばらつきが小さく、かつ、シート抵抗の再現性の非常に高い半導体集積回路を製造する。【解決手段】 半導体集積回路の製造方法において、金属配線9の上にプラズマCVD法によりシリコン窒化膜10を形成する工程と、前記シリコン窒化膜10を形成した後に温度400°Cから480°Cで熱処理を行う工程とから構成した。【効果】 多結晶シリコンのシート抵抗のばらつきが小さく、かつ、シート抵抗の再現性の非常に高い半導体集積回路を製造できる。

請求項（抜粋）：

基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に低濃度の第1の導電型の不純物をドーピングする工程と、前記低濃度の第1の導電型の不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜の一部に高濃度の第1の導電型の不純物をドーピングして低抵抗多結晶シリコン領域を設ける工程と、前記多結晶シリコン膜をパタニングする工程と、前記多結晶シリコン膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の上の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを設ける工程と、前記コンタクトホールに金属配線を設ける工程と、前記金属配線の上にプラズマCVD法によりシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜を形成した後に温度400°Cから480°Cで熱処理を行う工程とからなる半導体集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/04 P