半導体デバイスの宇宙線中性子ソフトエラー耐性評価方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-290587
公開番号（公開出願番号）：特開2004-125633
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】任意の半導体デバイスに関して効率の良い宇宙線中性子起因のソフトエラー耐性評価が可能となる手段を提供する。【解決手段】本発明はシミュレータを中核として、実際の半導体デバイスの実験データをフィールド試験、加速器試験から抽出することによってシミュレーションの精度を向上させ、実際の半導体デバイスの実験データを忠実に再現できるよう収束させる。これにより、任意の半導体デバイス、設計段階にある任意の半導体デバイスに関し任意の地点における宇宙線中性子起因のソフトエラー耐性を評価することができるため、半導体デバイスの宇宙線中性子ソフトエラー耐性を事前に評価・予測を可能にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの実使用環境に設置し動作させることによってソフトエラー率を求める第一の工程と、異なるエネルギーを有する中性子ビームを各々前記半導体デバイスに照射することによって各々のエネルギーに対応する前記半導体デバイスのソフトエラーの断面積を求める第二の工程と、前記半導体デバイスの構造並びに動作情報と前記実使用環境における宇宙線中性子のスペクトルから前記半導体デバイスのソフトエラー率を計算する工程と前記異なるエネルギーを有する中性子ビームのスペクトルとから前記半導体デバイスのソフトエラーの断面積を計算する工程からなる第三の工程と、前記第一の工程により求められた前記半導体デバイスのソフトエラー率と前記第三の工程により計算された前記半導体デバイスのソフトエラー率とを比較する第四の工程と、前記第二の工程により求められた前記半導体デバイスのソフトエラーの断面積と前記第三の工程により計算された前記半導体デバイスのソフトエラーの断面積とを比較する第五の工程と、前記第四の工程と前記第五の工程により第三の工程における計算方法及び結果の精度を確認する第六の工程と、前記第六の工程により精度を確認された第三の工程における計算方法により任意の半導体デバイスの構造並びに動作情報と任意の使用環境における宇宙線中性子のスペクトルから前記任意の半導体デバイスの前記任意の使用環境における宇宙線中性子起因のソフトエラー率を計算する第七の工程からなることを特徴とする半導体デバイスの宇宙線中性子起因のソフトエラー耐性評価方法。

IPC (6件)：

G01R31/30 , G01R31/26 , G01R31/28 , G11C11/41 , G11C29/00 , H01L27/10

FI (6件)：

G01R31/30 , G01R31/26 H , G11C29/00 651E , H01L27/10 371 , G11C11/40 D , G01R31/28 B

Fターム (23件)：

2G003AA08 , 2G003AB00 , 2G003AC00 , 2G003AD00 , 2G003AH00 , 2G003AH10 , 2G132AA08 , 2G132AB18 , 2G132AC09 , 2G132AC11 , 2G132AL09 , 2G132AL11 , 5B015HH04 , 5B015JJ13 , 5B015KA13 , 5B015RR01 , 5F083BS00 , 5F083ZA19 , 5F083ZA20 , 5L106AA02 , 5L106DD22 , 5L106DD25 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体デバイスのソフトエラー耐性評価方法及び評価装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-030207 出願人：株式会社日立製作所

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