特許

J-GLOBAL ID：200903097703194051

圧電体薄膜素子

発明者： 角 浩二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164947
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 単体の反強誘電体膜を備えた圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 本発明に係わる圧電体薄膜素子は、上部電極17と下部電極14に挟まれる反強誘電体膜16を備える圧電体薄膜素子であって、下部電極14と反強誘電体膜16の間にPbZrxTi1-xO3(0.5≦x≦0.7)を組成とする密着層15を備えることを特徴とする。この密着層15上に単体の(チタンを含有していない)反強誘電体膜16を成膜しても反強誘電体膜16が密着層15から剥離することがない。また、密着層15の結晶構造は反強誘電体膜16の結晶構造と整合性があるため、密着層15として優れた特性を有する。

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極間に挟まれる反強誘電体膜を備える圧電体薄膜素子において、前記下部電極と前記反強誘電体膜の間にジルコン酸チタン酸鉛を主成分とする薄膜を備える、圧電体薄膜素子。

IPC (7件)：

H01L 41/083 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

H01L 41/08 S ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z

Fターム (14件)：

2C057AF34 ,  2C057AG14 ,  2C057AG44 ,  2C057AN01 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP32 ,  2C057AP52 ,  2C057AP56 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• インクジェット記録装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-161836   出願人：松下電器産業株式会社