半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160305
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】絶縁形半導体装置において絶縁構造の改善をはかり、割れや欠けがなく、熱伝導が増大され、より信頼度の高い絶縁構造を提供する。【構成】金属電極3上に半導体素子1が搭載され、金属電極3と金属ベース5の間には可撓性を有する熱伝導性絶縁シート9が挿入され、接合面の断面がなめらかな波状面に成形されている。金属電極2の上からばね等で圧接力を加え上記各部品が固着される。【効果】熱伝導性絶縁シート9は可撓性があるため割れや欠けを生ずることがなく、十分な絶縁を行うことができ、かつ局部放電の耐量が高められて信頼度が高まる。また、装置の小型化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子の片面または両面に接合された金属電極と、この金属電極を搭載する金属ベースとを有し、前記金属電極と前記金属ベースの対向面は、いずれもなめらかな波状表面に形成されており、この対向面間に可撓性を有する熱伝導性絶縁シートが介在した状態で両者の波状表面が相互に嵌合され、前記金属電極と前記金属ベースとが固着していることを特徴とする半導体装置。

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