特許
J-GLOBAL ID：200903097709782656
単結晶炭化珪素の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-089994
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070295
出願日： 1991年03月28日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は結晶性の良い単結晶炭化珪素を形成できる形成方法を提供する。【構成】 本発明方法は、塩化珪素又は水素化珪素と、塩化炭素又は炭化水素とが原料ガスとして用い、基板2上に単結晶炭化珪素を形成する方法において、前記基板2表面に紫外レーザ光を照射し原料ガス成分の表面反応を生起しつつ単結晶炭化珪素を成長させるようにしたものである。これにより、結晶性が良い単結晶炭化珪素を安価に形成できる。
請求項（抜粋）：
塩化珪素又は水素化珪素と、塩化炭素又は炭化水素とを原料ガスとして用い、基板上に単結晶炭化珪素を形成する方法において、前記基板表面に紫外レーザ光を照射し原料ガス成分の表面反応を生起しつつ単結晶炭化珪素を成長させることを特徴とする単結晶炭化珪素の形成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36
, B01J 19/12
, C30B 25/02
, H01L 21/205
