レジスト膜パターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167759
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012534
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】反射防止膜の条件を特定して、好ましい形状の遠紫外線用化学増幅系レジスト膜パターンを形成する。【解決手段】レジスト膜と窒化シリコン膜121bとの境界151b近傍において、定在波145bの極大146bがレジスト膜パターン133b側になるように、窒化シリコン膜121bの膜厚を設定する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に設けられた被加工膜のエッチング・マスクを、遠紫外線用化学増幅系レジスト膜からなるレジスト膜パターンにより形成する方法において、前記被加工膜の表面を覆う反射防止膜を形成し、該反射防止膜上に前記遠紫外線用化学増幅系レジスト膜を塗布して露光する際に、露光時の入射光に対する該遠紫外線用化学増幅系レジスト膜と該反射防止膜とからなる第1の界面での反射率が10%以上かつ20%以下であることと、前記反射防止膜と前記被加工膜とからなる第2の界面並びに前記第1の界面からの反射光と前記入射光との干渉により発生する定在波の光強度が、該第1の界面から前記遠紫外線用化学増幅系レジスト膜上部へ向けて、極小から極大に変化する範囲になるように、該反射防止膜の膜厚を設定することとを併せて特徴とするレジスト膜パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 505 , G03F 7/11 503

FI (5件)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 505 , G03F 7/11 503 , H01L 21/30 573

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