半導体の特性評価方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345480
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148191
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】ウエハ状にスライスする前のインゴット状態のままで、半導体の特性値およびインゴット内の特性値分布を高精度に評価し、スライス前の段階で各種の加工仕様を含めた選別スライス加工ができるようにして、ウエハの製造における歩留まりを向上させるとともに、結晶成長プロセスへのフィードバックを迅速に行い得る半導体の特性評価方法およびその装置を提供する。【解決手段】化合物半導体の特性評価装置は、表面を平滑化して表面変質層を除去した化合物半導体のインゴット10を支持する可動ステージ12と、この化合物インゴットの長手方向に沿って断続的または連続的に、その化合物半導体の価電子帯と伝導帯との間の帯間吸収遷移を起こし得る励起光を室温環境下において不活性ガス雰囲気中で照射する励起光源18と、この励起光の照射によって得られたフォトルミネッセンス光を検出する光検出部20と、このフォトルミネッセンス光の波長情報および強度情報の少なくとも一方に基づいてキャリア濃度を評価する評価手段とからなる。

請求項（抜粋）：

表面を平滑化して表面変質層を除去した化合物半導体のインゴットを固定し、この化合物半導体のインゴットの長手方向に沿って断続的または連続的に、その化合物半導体の価電子帯と伝導帯との間の帯間吸収遷移を起こし得る励起光を室温環境下において不活性ガス雰囲気中で照射し、この励起光の照射によって得られたフォトルミネッセンス光の波長情報および強度情報の少なくとも一方に基づいてキャリア濃度を評価することを特徴とする、半導体の特性評価方法。

IPC (3件)：

G01N 21/64 , H01L 21/304 611 , G01J 3/443

FI (3件)：

G01N 21/64 Z , H01L 21/304 611 B , G01J 3/443

Fターム (24件)：

2G020AA04 , 2G020BA02 , 2G020BA15 , 2G020CA01 , 2G020CB23 , 2G020CB43 , 2G020CD04 , 2G020CD22 , 2G020CD52 , 2G043AA06 , 2G043CA05 , 2G043DA01 , 2G043DA05 , 2G043DA06 , 2G043DA08 , 2G043EA01 , 2G043FA01 , 2G043GA25 , 2G043GB21 , 2G043JA01 , 2G043KA02 , 2G043KA09 , 2G043LA01 , 2G043NA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-239863
特開平1-210851
金属材料表面の塗油量測定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-178528 出願人：川崎製鉄株式会社

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