処理方法及び処理装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：中本菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326554
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】被処理体表面に供給される処理液による衝撃及び処理液中に残留する気泡による悪影響を防止して歩留まりの向上を図る。【構成】現像液収容室24の底部に複数のノズル孔25を設けた現像液供給ノズル20と、現像液収容タンク30とを現像液供給管29を介して接続すると共に、現像液収容タンク30に供給されるN2ガスの加圧によって現像液収容タンク30内の現像液Lを現像液供給ノズル20からウエハWの表面に供給可能に形成する。現像液収容室24におけるノズル孔25の近傍位置に、現像液Lの液圧変動を抑制する圧力緩衝部材26を配設する。静止状態において、現像液供給ノズル20から少量の現像液Lを供給して現像液供給ノズル20の直下における半導体ウエハW表面に液膜を形成した後、現像液供給ノズル20から所定の液膜厚に必要な量の現像液Lを供給すると共に、現像液供給ノズル20と半導体ウエハWを相対移動して半導体ウエハW表面に所定厚の液膜を形成する。

請求項（抜粋）：

対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法において、静止状態において、上記処理液供給手段から所定量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に液膜を形成する工程と、上記処理液供給手段から所定の液膜厚に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成する工程とを有することを特徴とする処理方法。

引用特許：

審査官引用 (12件)

処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-351193 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
処理液塗布方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-009080 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
液体供給ノズル
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-009078 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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