特許

J-GLOBAL ID：200903097719112454

酸化物超格子およびその製造方法

発明者： 中川原 修 ,  志牟田 亨
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034823
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220300
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】 超格子化による薄膜特性を高機能化し、特に誘電体薄膜の残留分極を高めた酸化物超格子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 例えば、SrTiO3 の膜厚に対するBaTiO3 の膜厚の比を1:1から異ならせてアンバランスにすることによって、格子歪みを偏在させ、残留分極値を高める。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも第1種と第2種の酸化物を積層させて成る酸化物超格子において、積層する酸化物のうち、第1種の酸化物の膜厚を第2種の酸化物の膜厚とは異ならせた酸化物超格子。

IPC (3件)：

C30B 29/68 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/32

FI (3件)：

C30B 29/68 ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/32 D

Fターム (6件)：

4G077AA03 ,  4G077BC11 ,  4G077DA03 ,  4G077EF05 ,  4G077HA11 ,  4G077SB03