特許

J-GLOBAL ID：200903097725234596

半導体素子保護回路

発明者： 城取 洋
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 石井 博樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-006735
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189844
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】 回路間の入出力信号線に生じた過電圧や過電流から保護対象側の回路の半導体素子を保護する半導体素子保護回路を、少ない部品点数でかつ小型の小電力素子によって低コストに実現する。【解決手段】 入出力信号線が過電圧になると、電圧監視用ツェナーダイオードZD11がブレークダウンし、ベース電流が流れて信号線短絡用トランジスタQ11がONする。信号線短絡用トランジスタQ11のコレクタ-エミッタ間に電流が流れるようになり(符号A)、入出力信号線はグランドに短絡される。検査対象回路基板1の回路から入出力信号線を介して信号線短絡用トランジスタQ11に大きな電流が流れるが、その電流によって、入出力信号線の正温度係数サーミスタTの抵抗値が増大し、信号線短絡用トランジスタQ11のコレクタに流れ込む電流が減少し、大電流が流れ続けることを防止できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路間の入出力信号線に直列に接続された過電流保護素子と、 ON時に前記入出力信号線の前記過電流保護素子より保護対象回路側がグランドに短絡されるように接続された信号線短絡用トランジスタと、 前記入出力信号線の前記過電流保護素子より前記保護対象回路側の電圧が所定電圧に達するとブレークダウンして前記信号線短絡用トランジスタがONするように接続された電圧監視用ツェナーダイオードとを備えた半導体素子保護回路。

IPC (4件)：

H02H 9/02 ,  G01R 19/00 ,  G01R 19/165 ,  H02H 9/04

FI (4件)：

H02H9/02 B ,  G01R19/00 H ,  G01R19/165 L ,  H02H9/04 A

Fターム (15件)：

2G035AA16 ,  2G035AB01 ,  2G035AC02 ,  2G035AD02 ,  2G035AD06 ,  2G035AD08 ,  2G035AD10 ,  5G013AA08 ,  5G013AA16 ,  5G013BA03 ,  5G013CA02 ,  5G013CA05 ,  5G013CB02 ,  5G013DA05 ,  5G013DA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平7-71379号公報