特許

J-GLOBAL ID：200903097729897735

半導体装置の製造方法

発明者： 光平 規之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004024
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208634
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 製品歩留まりの向上を図ることにある。【解決手段】 RFパワーの高いプラズマを用いてスルーホールを所定の深さまでエッチングした後に、スルーホール内にボーイングを発生させることのないRFパワーの低いプラズマに切り替えることにより、全体としてボーイングのないスルーホール5を完成させるようになっている。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン系の絶縁層に上下方向に貫通するスルーホールを成形する半導体装置の製造方法であって、RFパワーの高いプラズマを用いてスルーホールを所定の深さまでエッチングした後に、スルーホール内にボーイングを発生させることのないRFパワーの低いプラズマに切り替えることにより、全体としてボーイングのないスルーホールを完成させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 V ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (53件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104EE08 ,  4M104EE14 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG13 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F004AA01 ,  5F004AA12 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033NN33 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW10 ,  5F033XX34