特許

J-GLOBAL ID：200903097730459083

緻密質焼結膜の作製方法

発明者： 樋渡 研一 ,  上野 晃 ,  相沢 正信
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164316
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343185
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 ある程度緻密なセラミック基体上に、セラミックスヒータの導電層や、SOFC用のインターコネクターなど、緻密さが要求される焼結膜の作製方法を提供する。【解決手段】 ある程度緻密なセラミック基体上に緻密質焼結膜を形成する方法であって、成膜面とその反対側の面(反成膜面)との間に差圧を与えた状態でディップし乾燥する工程を含む成膜法で成膜し焼成する。

請求項（抜粋）：

ある程度緻密なセラミック基体上に緻密質焼結膜を形成する方法であって、成膜面とその反対側の面(反成膜面)との間に差圧を与えた状態でディッピングを行い乾燥する工程を含む成膜法で成膜し焼成することを特徴とする緻密質焼結膜の作製方法。

IPC (4件)：

C04B 41/87 ,  B05D 7/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (4件)：

C04B 41/87 A ,  B05D 7/00 C ,  H01M 8/02 Y ,  H01M 8/12