特許
J-GLOBAL ID：200903097736116455
リッジ導波路型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114315
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307192
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 リッジ導波路型レーザでは、活性層への電流狭窄がうまく行なわれていなかった。レーザの閾値電流の低減に貢献するために、電流狭窄部をうまく作る方法を提供する。【解決手段】 基板上に結晶成長させ、リッジ導波路部を製作すると活性層が素子全域に形成されているため、活性層の中央部に優先的に電流が流れなかった、活性層の一部を高抵抗化することによって中央部に優先的に電流が流れる構造を得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも活性層と上部クラッド層とコンタクト層を順次積層し、前記上部クラッド層と前記コンタクト層をエッチングし、リッジ導波路部を作製したリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記上部クラッド層にAl化合物の上部クラッド層を用い、前記Al化合物の上部クラッド層を酸素または水蒸気中において熱処理し、前記Al化合物の上部クラッド層を酸化させた高抵抗層部を形成することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。
Fターム (7件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073CA15
, 5F073DA23
, 5F073DA27
, 5F073EA23
