特許

J-GLOBAL ID：200903097740409980

増幅型固体撮像装置用出力回路

発明者： 渡辺 恭志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083747
公開番号（公開出願番号）：特開2000-278608
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で、閾値電圧や電源電圧の変動に対して、動作マージンを十分確保できると共に、消費電流の変動を抑えることができ、安定した低電圧動作が可能な増幅型固体撮像装置用出力回路を提供する。【解決手段】 第1MOSトランジスタQ11と、第1MOSトランジスタQ11に垂直信号線を介して接続された負荷用の第2MOSトランジスタQ15とで第1のソースフォロワ回路を形成する。第2MOSトランジスタQ15と、第2MOSトランジスタQ15のゲートにゲートとドレインが接続された同じチャネル構造の第3MOSトランジスタQ21とでカレントミラー回路を形成する。第3MOSトランジスタQ21のドレインを固定抵抗R11を介して電源に接続する。固定抵抗R11と第3MOSトランジスタQ21を流れる電流ばらつきが小さいので、負荷用第2MOSトランジスタQ15の電流ばらつきを小さくでき、広い動作マージンを確保できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、光電変換素子からの光電変換信号を増幅する第1MOSトランジスタと、上記半導体基板上に形成され、上記第1MOSトランジスタに信号線を介して接続された負荷用の第2MOSトランジスタとで形成された第1のソースフォロワ回路を備えた増幅型固体撮像装置用出力回路において、上記半導体基板上に上記第2MOSトランジスタと同じチャネル構造で形成され、上記第2MOSトランジスタとカレントミラー回路を形成するように上記第2MOSトランジスタのゲートにゲートおよびドレインが接続された第3MOSトランジスタと、上記半導体基板上に形成され、上記第3MOSトランジスタに略一定の電流を流すための第1の負荷とを備えたことを特徴とする増幅型固体撮像装置用出力回路。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A

Fターム (11件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  5C024CA00 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA31 ,  5C024HA00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-235886   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-034483   出願人：株式会社ニコン
• イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106323   出願人：松下電器産業株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-171569   出願人：株式会社ニコン