特許

J-GLOBAL ID：200903097743774859

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 前田 敦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390315
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190586
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 固体撮像装置において、ダメージ層をできるだけなくし、リーク電流を低減する。【解決手段】 固体撮像装置は、半導体基板1と、この基板上に形成された第1の拡散層を含むフォトダイオードと、上記主表面上に形成された第2の拡散層(FD領域)および第3の拡散層をソース/ドレイン領域として含むMOSトランジスタとを備える。上記FD領域は、上記フォトダイオードによって定まる信号電荷を信号電圧に変換する役割を兼ね、第3の拡散層には、低濃度の不純物を注入されたN-拡散層4aに加えて高濃度の不純物を注入されたN+拡散層4bが形成されているのに対して、上記FD領域にはN-拡散層4aのみが形成されている。なお、FD領域の上側は、イオン注入を遮断するための注入遮断層としての酸化膜5aに覆われている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記主表面上に形成された第1の拡散層を含むフォトダイオードと、前記主表面上に形成された第2の拡散層および第3の拡散層をソース/ドレイン領域として含むMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタとを備え、前記第2の拡散層は、前記フォトダイオードによって定まる信号電荷を信号電圧に変換する役割を兼ね、前記第2の拡散層の不純物濃度は、前記第3の拡散層の不純物濃度の1/10以下である、固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 G

Fターム (17件)：

4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA34 ,  4M118FA47 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY18 ,  5F049MA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049UA20