特許
J-GLOBAL ID：200903097746345304
位相シフタマスク並び位相シフタマスクの欠陥修正方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-100407
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】各種の欠陥を高精度で、且つ効率よく修正できるように構成した位相シフタマスク並びにこのマスクの欠陥修正方法及びそのための装置を提供する。【構成】基板111の上に遮光膜112でパターンを形成し、この上に第1の透明な導電性薄膜161、さらに第1の位相シフト膜113、第2の透明薄膜162、第2の位相シフタ膜152を順次形成して位相シフタマスクを完成する。ただし第2の透明薄膜162は第2の位相シフタ膜152よりもエッチング速度が著しく速い材料を選ぶ。【効果】この位相シフタマスクは構成がかなり複雑であるが、その代りに欠陥修正にあたり第2の位相シフタ膜152をエッチングするとき境界で精度よくエッチングを終了させることができ、帯電防止及び吸収電流の検出によるエッチングのモニタが可能になる。従って各種の欠陥を高精度で、且つ効率よく修正できる。
請求項（抜粋）：
基板に対して遮光膜パターンを形成し、その上部に導電性の位相シフタ膜パターンを形成したことを特徴とする位相シフタマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 W
