特許

J-GLOBAL ID：200903097749707614

へテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： 山浦 新司 ,  山口 泰弘 ,  石井 和明 ,  佐々 誠彦 ,  富岡 健 ,  高橋 剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-274087
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130754
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、エミッタサイズの制御性に優れ、ベース電極をエミッタ電極に対して自己整合的に形成し、かつエミッタ電極とベース電極との分離が容易であり、特性劣化防止のためのエミッタ・ガードリングが容易に形成できるヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】p+ 型GaAsベース層13上に連続的に形成されたn型AlGaAs層15及びn型AlGaAsグレーデッド層16と、n型AlGaAsグレーデッド層16上にT型形状に選択成長したn型GaAs層17、n+ 型GaAs層18及びn+ 型InGaAsコンタクト層19とが、I型エミッタ層14を構成し、I型の縦棒に相当する部分の側壁にサイドウォール20が形成され、I型エミッタ層14上にエミッタ電極22が形成され、p+ 型GaAsベース層13上にベース電極23がエミッタ電極22に対して自己整合的に形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上にコレクタコンタクト層を介して形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成され、前記ベース層のバンドギャップより広いバンドギャップをもつエミッタ層と、前記コレクタコンタクト層に接続するコレクタ電極と、前記ベース層に接続するベース電極と、前記エミッタ層に接続するエミッタ電極とを具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記エミッタ層が、断面がI型形状をなすI型エミッタ層であり、前記I型エミッタ層の側壁に形成された絶縁層からなるサイドウォールに隣接して、前記ベース電極が形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H