特許

J-GLOBAL ID：200903097751822366

半導体装置およびその製造方法

発明者： 櫻井 眞人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091203
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289783
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】多種類の抵抗値を有する抵抗素子を簡便に形成できるようにする。【解決手段】半導体装置に搭載された抵抗用電極と抵抗体とで構成される抵抗素子において、上記の抵抗体がシート抵抗の異なる第1のシート抵抗領域1と第2のシート抵抗領域2を有する半導体層に形成される。ここで、上記シート抵抗の異なる領域の平面形状は、交互に配置されたストライプ状パターンの形状に形成される。そして、シート抵抗の異なる領域に対して抵抗体用電極3(3a),4(4a)の方向が変えられ抵抗素子の電流経路が変えられて、上記抵抗素子の抵抗値が変わるように制御される。

請求項（抜粋）：

半導体装置に搭載された抵抗用電極と抵抗体とで構成される抵抗素子において、前記抵抗体が、シート抵抗の異なる領域を有する半導体層に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 R

Fターム (9件)：

5F038AR02 ,  5F038AR09 ,  5F038AR10 ,  5F038AR13 ,  5F038AR23 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20