内燃機関点火用半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121222
公開番号（公開出願番号）：特開2000-310173
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】イグナイタ点火回路に用いられる点火用の半導体装置としてIGBTを用いた場合に、コレクタ電圧の振動を抑制し、且つ、電流制限領域での一定となるコレクタ電流の値を低減する。【解決手段】電流制限時にコレクタ電圧がゲート電圧より高い場合、コレクタ端子からゲート端子に微小電流による電圧が加わる回路に、高耐圧定電流素子2と低耐圧定電流素子3をそれぞれ直列接続した定電流回路4を用いたことで、電流制限動作開始直後のコレクタ電圧の上昇がゲート端子電圧を高める方向に作用し、そのゲート電圧の上昇は急激なコレクタ電圧の上昇を抑制する。また、振動によるコレクタ電圧の低下では、コレクタ端子からゲート電圧を高める作用が低下しコレクタ電圧の低下が抑制される。また、低耐圧定電流素子2により、コレクタ電流が小さく抑制されて、IGBTの発生損失が低減する。

請求項（抜粋）：

イグニッションコイルの一次巻線に直流電源とスイッチング手段を接続し、イグニッションコイルの二次巻線の一方端に点火プラグを接続し、該スイッチング手段の開閉によるイグニッションコイルの一次電流の変化により二次巻線に生ずる高電圧を点火プラグに供給するものであって、スイッチング手段がMOSゲート構造トランジスタであり、一次巻線のコイル電流をある一定値に制限するために、少なくともコイル電流検出部とMOSゲート構造トランジスタのゲート電圧を降下させる回路とを備え、MOSゲート構造トランジスタの電圧値の高い側の主端子の電圧が、ゲート端子電圧よりも高い場合に、主端子からゲート端子に流入する電流で生じた電圧をゲート端子に加える電流供給回路を備えた内燃機関点火用半導体装置において、前記の電流供給回路が、少なくとも複数個の定電流素子を直列接続して構成することを特徴とする内燃機関点火用半導体装置。

Fターム (6件)：

3G019BA01 , 3G019BA05 , 3G019EA13 , 3G019EA17 , 3G019FA11 , 3G019FA13

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