特許
J-GLOBAL ID：200903097755537275
III族窒化物半導体製造装置、およびIII族窒化物半導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-144220
公開番号（公開出願番号）：特開2008-297153
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】Naフラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造において、従来結晶成長工程終了後に廃棄されていたNaを再利用できる製造装置を実現すること。【解決手段】 Naフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長工程終了後、坩堝11の温度が100°C以上である時に、回収装置20にてNaを吸引し、保持容器22内に液体状態で保持する。回収したNaは、蛇口24より取り出すことができる。ここで、結晶成長工程終了後に残存するNaは、蒸気圧の高い不純物を含んでいないため高純度である。そのため、回収したNaをフラックスとして再利用すると、不純物濃度の低いIII 族窒化物半導体を製造することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III 族金属と少なくともアルカリ金属を含むフラックスとを融解した状態で保持する反応容器と、前記反応容器を加熱する第1加熱装置と、前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給装置と、で構成されたIII 族窒化物半導体製造装置において、
前記反応容器に挿入された吸引用配管と、
前記吸引用配管と接続し、結晶成長の終了後に前記反応容器内の液化した前記フラックスを吸引する回収装置と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077EG18
, 4G077EG25
, 4G077FK07
, 4G077FK20
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA56
, 4G077QA70
